Archiwum PLATFORMAZAKUPOWACPV 38000000 · Sprzęt laboratoryjny i optyczny Mazowieckie
Wykonanie heterostruktury fotodiody InGaAs na podłożu InP – Warszawa
Pełna nazwa postępowania: F2/152/2026/ZP Wykonanie 12 sztuk heterostruktury fotodiody na bazie arsenku galowo-indowego na 3” podłożach InP do detekcji fal elektromagnetycznych o długości 2,6 µm.
SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT MIKROELEKTRONIKI I FOTONIKI·Warszawa
Wartość szac.
—
nie podano
Termin składania
04.08.2026
postępowanie zakończone
Otwarcie ofert
—
nie podano
Opublikowano
—
źródło: PLATFORMAZAKUPOWA
Streszczenie SWZ
Streszczenie AI · Janusz
Widzisz połowę każdej z 9 sekcjiDruga połowa — łącznie 15 zdań z warunkami, dokumentami i analizą ryzyka — odsłania się po założeniu darmowego konta.
Doświadczenie: co najmniej 1 usługa polegająca na osadzaniu heterostruktury ze związków InGaAs/InAlAs/InP metodą MOCVD o wartości ≥ 160 000 PLN brutto, ostatnie 3 lata.
7
Kryteria oceny ofert
Pełna treść
Cena oferty brutto: waga 100%; wzór: C = Cn/Cb × 100 (Cn – najniższa cena, Cb – cena oferty badanej), max 100 pkt.
8
Kary i sankcje
Widoczne 50%
Zwłoka w realizacji:0,1% wartości umowy za każdy dzień roboczy, do 10% wartości.
Nieterminowa wymiana gwarancyjna:0,1% za dzień roboczy, do 10% wartości.
Odstąpienie/wypowiedzenie z przyczyn Wykonawcy: kara 10% wartości umowy.
Termin realizacji: maks. 8 tygodni od zawarcia umowy (wg oferty).
Gwarancja: min. 12 miesięcy od podpisania protokołu odbioru; wymiana wadliwych heterostruktur w ciągu 8 tygodni od zgłoszenia.
Własność intelektualna: z chwilą odbioru przeniesienie na Zamawiającego autorskich praw majątkowych (w tym do wynalazków, know-how) bez ograniczeń terytorialnych/czasowych, bez dodatkowego wynagrodzenia.
Poufność: podpisana umowa NDA na 77 lat; kara umowna 50 000 zł za każdy przypadek ujawnienia.
Z każdej z 9 sekcji pokazujemy połowę. Załóż darmowe konto, żeby odsłonić pozostałe 15 zdań — pełne warunki udziału, dokumenty i analizę ryzyka Janusza. Bez karty, 14 dni za darmo.
14 dni za darmo Bez karty płatniczej Rezygnacja w 1 klik
Opis przedmiotu zamówienia
Streszczenie AI · Janusz
Usługa wykonania 12 sztuk heterostruktury fotodiody na bazie arsenku galowo-indowego (InGaAs/InAlAs/InP) na 3-calowych podłożach InP, do detekcji fal elektromagnetycznych o długości 2,6 μm, technologią epitaksji z wiązek metalorganicznych (MOCVD), wraz z dokumentacją weryfikującą poprawność wykonania (grubości warstw, profile składu chemicznego i domieszkowania) oraz deklaracją zgodności.
