Wykonanie heterostruktury fotodiody InGaAs na podłożu InP – Warszawa
Rozstrzygnięcie
Zamawiający unieważnił to postępowanie.
Przedmiot zamówienia
AIUsługa wykonania 12 sztuk heterostruktury fotodiody na bazie arsenku galowo-indowego (InGaAs/InAlAs/InP) na 3-calowych podłożach InP, do detekcji fal elektromagnetycznych o długości 2,6 μm, technologią epitaksji z wiązek metalorganicznych (MOCVD), wraz z dokumentacją weryfikującą poprawność wykonania (grubości warstw, profile składu chemicznego i domieszkowania) oraz deklaracją zgodności.
Zamówienie dotyczy niszowej technologii półprzewodnikowej MOCVD wymagającej specjalistycznej aparatury i doświadczenia w osadzaniu heterostruktur InGaAs/InAlAs/InP, a warunkiem udziału jest wcześniejsza realizacja porównywalnej usługi o wartości min. 160 tys. zł brutto.
Terminy realizacji
maks. 8 tygodni od daty zawarcia umowy
min. 12 miesięcy od podpisania protokołu odbioru
Warunki udziału
AIKryteria wyboru oferty
AIWagi punktowe, według których zamawiający oceni oferty.
Czerwone flagi
AISygnały, na które warto zwrócić uwagę przed startem.
Kary i sankcje
AI- Zwłoka w realizacji: 0,1% wartości umowy za każdy dzień roboczy, do 10% wartości.
- Nieterminowa wymiana gwarancyjna: 0,1% za dzień roboczy, do 10% wartości.
- Odstąpienie/wypowiedzenie z przyczyn Wykonawcy: kara 10% wartości umowy.
Pozostałe 3 zapisy o karach po założeniu darmowego konta.
Pytania i odpowiedzi
0Wyodrębnione z wyjaśnień treści SWZ.
Zamawiający nie opublikował pytań ani odpowiedzi